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不同的驅(qū)動(dòng)電路，它所屬特性不同，會(huì)直接影響功率器件。好的驅(qū)動(dòng)電路，能縮短功率器件在開關(guān)上的使用時(shí)間，減小損失，對(duì)于效率方面有很大的提升，安全性和穩(wěn)定性都比較好。什么樣的驅(qū)動(dòng)電路算是好的呢？

mos管開關(guān)器件理想的驅(qū)動(dòng)電路

(1)功率開關(guān)管開通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路可以提供快速上升的基極電流，使得開啟時(shí)有足夠的驅(qū)動(dòng)功率，從而減小開通損耗。

(2)開關(guān)管導(dǎo)通期間，mos驅(qū)動(dòng)電路提供的基極電流在任何負(fù)載狀況下都能保證功率管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，保證比擬低的導(dǎo)通損耗。為減小存儲(chǔ)時(shí)間，器件關(guān)斷前應(yīng)處于臨界飽和狀態(tài)。

(3)關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的反向基極驅(qū)動(dòng)，以疾速的抽出基區(qū)的剩余載流子，減小存儲(chǔ)時(shí)間;　　并加反偏截止電壓，使集電極電流疾速降落以減小降落時(shí)間。當(dāng)然，晶閘管的關(guān)斷主要還是靠反向陽極壓降來完成關(guān)斷的。

目前來說，關(guān)于晶閘管的驅(qū)動(dòng)用的比擬多的只是經(jīng)過變壓器或者光耦隔離來把低壓端與高壓端隔開，再經(jīng)過轉(zhuǎn)換電路來驅(qū)動(dòng)晶閘管的導(dǎo)通。而關(guān)于 IGBT來說目前用的較多的是 IGBT 的驅(qū)動(dòng)模塊，也有集成了 IGBT、 系統(tǒng)自維護(hù)、 自診斷等各個(gè)功用模塊的 IPM。

驅(qū)動(dòng)電路在一定的程度上，能夠決定mos管的各項(xiàng)性能，也會(huì)間接的影響它的使用壽命，在區(qū)分驅(qū)動(dòng)電路的這一環(huán)節(jié)中，還是需要認(rèn)真的對(duì)待，選擇比較好的驅(qū)動(dòng)電路，這才是最關(guān)鍵的事。